先端技術商品紹介サイト Leading-Edge Key Technology Product Information

NTT-AT

X線および電子線リソグラフィ用マスク

 

次世代LSIのキーテクノロジとしてX線リソグラフィは早くから注目され、その開発にNTT研究所は多くのリソースを投入してきました。NTT-ATでは、このNTT研究所がX線マスク開発で培った各種の要素技術を用いて、超微細化製品の開発・提供を行っています。

◆X線マスク
■特徴
・0.1μm以下のパタン転写が可能
・SiCメンブレンによる高い位置精度を達成
■製作例
主な仕様
マスク外観
構造
メンブレン上のTaパタン
吸収体
Ta
300nm厚
応力~0MPa  
メンブレン
SiCまたはSiN 2μm厚
応力100MPa~200MPa
20~30mm角
最小パタン幅
50nm
パタン位置精度
3σ<30nm

X線マスク外観

 

◆電子ビーム用マスク
・SiCを用いた極薄のステンシルマスク
■製作例
主な仕様
マスク外観
構造
SiCステンシル構造
メンブレン
SiC 300nm厚
応力100MPa~200MPa
3mm角×25個
最小パタン
50nm
電子ビーム用マスク外観
マスクパタン(SEM)
マスクパタン(SEM)
70nm ホールパタン
 

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